KSD1616AGBU
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
150 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
96 руб.
от 10 шт. —
78 руб.
от 100 шт. —
59.75 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 300 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 60V, TO-226AA-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:160MHz; Power Dissipation Pd:750mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:200hFE; Transistor Case Style:TO-226AA; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Технические параметры
Category | Bipolar Power |
Collector Current (DC) | 1(A) |
Collector-Base Voltage | 120(V) |
Configuration | Single |
DC Current Gain | 200@100MA@2V |
Emitter-Base Voltage | 6(V) |
Frequency | 160(MHz) |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -55C to 150C |
Operating Temperature Classification | Military |
Output Power | Not Required(W) |
Package Type | TO-92 |
Packaging | Bag |
Pin Count | 3 |
Power Dissipation | 0.75(W) |
Rad Hardened | No |
Transistor Polarity | NPN |
Brand: | onsemi/Fairchild |
Collector- Base Voltage VCBO: | 120 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 150 mV |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 1 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 135 |
DC Current Gain hFE Max: | 600 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 160 MHz |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum DC Collector Current: | 1 A |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-92-3 |
Packaging: | Bulk |
Part # Aliases: | KSD1616AGBU_NL |
Pd - Power Dissipation: | 750 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | KSD1616A |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Вес, г | 0.179 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 293 КБ
Документация
pdf, 293 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары