FCPF260N60E
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
690 руб.
от 2 шт. —
610 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 690 руб.
Номенклатурный номер: 8002990693
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: ON Semiconductor***
Описание
MOSFET, N-CH, 600V, 15A, TO-220F; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:15A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.22ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V; Power Dissipation Pd:36W; Transistor Case Style:TO-220F; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 50 |
| Fall Time | 13 ns |
| Forward Transconductance - Min | 15.5 S |
| Height | 16.07 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 15 A |
| Length | 10.36 mm |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220FP-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 36 W |
| Product | MOSFET |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 48 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 260 mOhms |
| Rise Time | 11 ns |
| RoHS | Details |
| Series | FCPF260N60E |
| Technology | Si |
| Tradename | SuperFET II |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 13 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 20 ns |
| Unit Weight | 0.080072 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3.5 V |
| Width | 4.9 mm |
| Id - непрерывный ток утечки | 15 A |
| Pd - рассеивание мощности | 36 W |
| Qg - заряд затвора | 48 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 260 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 11 ns |
| Время спада | 13 ns |
| Высота | 16.07 mm |
| Длина | 10.36 mm |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | SuperFET II |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 15.5 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Продукт | MOSFET |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | FCPF260N60E |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 13 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
| Ширина | 4.9 mm |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.22Ом |
| Power Dissipation | 36Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Непрерывный Ток Стока | 15А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 36Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.22Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220F |
| Вес, г | 3.31 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 834 КБ
Datasheet FCPF260N60E
pdf, 831 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
