IXFT50N60X, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 50А, 660Вт, TO268, 195нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 840 руб.
от 3 шт. —
3 060 руб.
от 10 шт. —
2 450 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 840 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 50А, 660Вт, TO268, 195нс Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO268 |
| Drain current | 50A |
| Drain-source voltage | 600V |
| Features of semiconductor devices | ultra junction x-class |
| Gate charge | 116nC |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 73mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 660W |
| Reverse recovery time | 195ns |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 4.07 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 231 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
