FQB34P10TM
1 820 руб.
от 2 шт. —
1 680 руб.
от 5 шт. —
1 570 руб.
от 10 шт. —
1 507.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 820 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, P-CH, -100V, -33.5A, TO-263AB-2; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-33.5A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):0.049ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage
Технические параметры
| Корпус | d2pak | |
| Вид упаковки | бобина, лента | |
| Заряд затвора | 110нC | |
| Монтаж | SMD | |
| Мощность | 155Вт | |
| Напряжение затвор-исток | ±25В | |
| Напряжение сток-исток | -100В | |
| Полярность | полевой | |
| Производитель | ON SEMICONDUCTOR(FAIRCHILD) | |
| Сопротивление в открытом состоянии | 60мОм | |
| Технология | QFET® | |
| Тип транзистора | P-MOSFET | |
| Ток стока | -23.5А |
Техническая документация
Документация
pdf, 1979 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
