SI1902CDL-T1-GE3, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 20В, 0,9А, 0,27Вт, SC70

Фото 1/2 SI1902CDL-T1-GE3, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 20В, 0,9А, 0,27Вт, SC70
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
160 руб.
от 10 шт.89 руб.
от 100 шт.47 руб.
от 500 шт.37.35 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 160 руб.
Номенклатурный номер: 8003175509
Артикул: SI1902CDL-T1-GE3

Описание

Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\Multi channel transistors
Описание Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 20В, 0,9А, 0,27Вт, SC70

Технические параметры

Case SC70
Drain current 0.9A
Drain-source voltage 20V
Gate charge 2nC
Gate-source voltage ±12V
Kind of channel enhanced
Kind of package reel, tape
Manufacturer VISHAY
Mounting SMD
On-state resistance 0.235Ω
Polarisation unipolar
Power dissipation 0.27W
Type of transistor N-MOSFET x2
Вес, г 0.05

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов