SI1902CDL-T1-GE3, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 20В, 0,9А, 0,27Вт, SC70
![Фото 1/2 SI1902CDL-T1-GE3, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 20В, 0,9А, 0,27Вт, SC70](https://static.chipdip.ru/lib/642/DOC044642797.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/012/DOC038012714.jpg)
160 руб.
от 10 шт. —
89 руб.
от 100 шт. —
47 руб.
от 500 шт. —
37.35 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 160 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\Multi channel transistors
Описание Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 20В, 0,9А, 0,27Вт, SC70
Технические параметры
Case | SC70 |
Drain current | 0.9A |
Drain-source voltage | 20V |
Gate charge | 2nC |
Gate-source voltage | ±12V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | VISHAY |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 0.235Ω |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 0.27W |
Type of transistor | N-MOSFET x2 |
Вес, г | 0.05 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары