STL220N6F7
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
1 030 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 030 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
N-channel 60 V, 0.0012 Ohm typ., 260 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 260A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6600pF @ 25V |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 4.8W(Ta), 187W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 mOhm @ 20A, 10V |
| Series | STripFET™ F7 |
| Standard Package | 1 |
| Supplier Device Package | PowerFLAT(6x5) |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0012Ом |
| Power Dissipation | 188Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | STripFET F7 Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Непрерывный Ток Стока | 120А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerFLAT |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Техническая документация
Документация
pdf, 881 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
