IRFP3415PBF, Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
410 руб.
Мин. кол-во для заказа 91 шт.
от 186 шт. —
390 руб.
от 527 шт. —
359 руб.
Добавить в корзину 91 шт.
на сумму 37 310 руб.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор полевой IRFP3415PBF от известного производителя INFINEON - это надежный компонент для мощных электронных схем. Оснащенный корпусом TO247AC для монтажа THT, этот N-MOSFET транзистор способен управлять током стока до 43А и выдерживает напряжение сток-исток до 150В. С мощностью 200Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,042 Ом, IRFP3415PBF обеспечивает эффективную работу и минимальные потери энергии. Идеален для применения в источниках питания, преобразователях и других высоковольтных применениях. Уникальный код товара IRFP3415PBF подтверждает подлинность и качество каждого экземпляра. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 43 |
| Напряжение сток-исток, В | 150 |
| Мощность, Вт | 200 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.042 |
| Корпус | TO247AC |
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.042Ом |
| Power Dissipation | 200Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | HEXFET |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 150В |
| Непрерывный Ток Стока | 43А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 200Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.042Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247AC |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 43A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 25V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Bulk |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 200W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 22A, 10V |
| Series | HEXFETВ® |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 43A |
| Maximum Drain Source Voltage | 43 A |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Material | Si |
| Вес, г | 7.15 |
Техническая документация
Datasheet IRFP3415PBF
pdf, 167 КБ
Datasheet IRFP3415PBF
pdf, 161 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
