IRFD9120PBF, Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
93 руб.
Мин. кол-во для заказа 400 шт.
от 741 шт. —
89 руб.
от 2097 шт. —
87 руб.
Добавить в корзину 400 шт.
на сумму 37 200 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор P-МОП, полевой, 100В 1A 1,3Вт 0,6Ом DIP4 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Base Product Number | IRFD9120 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 390pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | 4-DIP (0.300"", 7.62mm) |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 600mA, 10V |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Id - непрерывный ток утечки | 1 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1.3 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 600 mOhms |
| RoHS | Подробности |
| Vds - напряжение пробоя затвор-исток | 20 V |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | -100 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 29 ns |
| Время спада | 29 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Конфигурация | Single Dual Drain |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Производитель | Vishay |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Типичное время задержки выключения | 21 ns |
| Торговая марка | Vishay/Siliconix |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | HexDIP-4 |
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 25 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 0.71 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 1 A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | DIP-4 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 1.3 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 18 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 600 mOhms |
| Rise Time: | 29 ns |
| Series: | IRFD |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 21 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.6 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 1 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Package Type | HVMDIP |
| Вес, кг | 192 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1015 КБ
Datasheet IRFD9120PBF
pdf, 1015 КБ
irfd9120pbf
pdf, 1771 КБ
Документация
pdf, 2031 КБ
Datasheet IRFD9120, SiHFD9120
pdf, 1017 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
