IRFD9210PBF, Trans MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-Pin HVMDIP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
87 руб.
Мин. кол-во для заказа 420 шт.
от 789 шт. —
84 руб.
Добавить в корзину 420 шт.
на сумму 36 540 руб.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -200В, -0,25А, 1Вт, DIP4 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 400 mA |
Pd - рассеивание мощности | 1 W |
Qg - заряд затвора | 8.9 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 3.37 mm |
Длина | 6.29 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | P-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | IRFD |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | HVMDIP-4 |
Ширина | 5 mm |
Base Product Number | IRFD9210 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 400mA (Ta) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | P-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.9nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | 4-DIP (0.300"", 7.62mm) |
Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 240mA, 10V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Вес, кг | 193 |
Техническая документация
Datasheet IRFD9210PBF
pdf, 792 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов