IRF630, Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

4654 шт., срок 7-9 недель

240 руб.

Мин. кол-во для заказа 160 шт.

от 295 шт. — 230 руб.

от 833 шт. — 217 руб.

Добавить в корзину 160 шт. на сумму 38 400 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8003194850

Артикул: IRF630

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 200В 9A 75Вт TO220AB Характеристики

кол-во в упаковке	50
Brand	STMicroelectronics
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	1000
Forward Transconductance - Min	3 S
Id - Continuous Drain Current	9 A
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-65 C
Mounting Style	Through Hole
Number Of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-220-3
Pd - Power Dissipation	75 W
Product Category	MOSFET
Product Type	MOSFET
Qg - Gate Charge	31 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	400 mOhms
Rise Time	15 ns
Series	IRF630
Subcategory	MOSFETs
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Type	MOSFET
Typical Turn-On Delay Time	10 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	200 V
Vgs - Gate-Source Voltage	10 V
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	9 A
Maximum Drain Source Resistance	400 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	200 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Maximum Power Dissipation	75 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	31 nC @ 10 V
Width	4.6mm
Вес, кг	207