2N7002-7-F, Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 руб.
Мин. кол-во для заказа 9000 шт.
Кратность заказа 3000 шт.
от 36000 шт. —
5.30 руб.
Добавить в корзину 9000 шт.
на сумму 54 000 руб.
Посмотреть аналоги17
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 115мА, 300мВт, SOT23 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 115mA |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 370mW |
Rds On - Drain-Source Resistance | 7.5О© @ 50mA,5V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 2.5V @ 250uA |
Brand: | Diodes Incorporated |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 5.6 ns |
Forward Transconductance - Min: | 80 mS |
Id - Continuous Drain Current: | 210 mA |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | SOT-23-3 |
Pd - Power Dissipation: | 540 mW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Product: | MOSFET Small Signal |
Qg - Gate Charge: | 223 pC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 5 Ohms |
Rise Time: | 3 ns |
Series: | 2N7002 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | Enhancement Mode Field Effect Transistor |
Typical Turn-Off Delay Time: | 7.6 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 2.8 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 115 mA |
Maximum Drain Source Resistance | 13.5 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 300 mW |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Width | 1.4mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов