Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Vishay › IRFBE30PBF, Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A ...

IRFBE30PBF, Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

220 руб.

Мин. кол-во для заказа 180 шт.

от 325 шт. — 210 руб.

Добавить в корзину 180 шт. на сумму 39 600 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8003210760

Артикул: IRFBE30PBF

Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 800В, 2,6А, 125Вт, TO220AB Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	4.1 A
Pd - рассеивание мощности	125 W
Qg - заряд затвора	78 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	3 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	800 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	33 ns
Время спада	30 ns
Высота	15.49 mm
Длина	10.41 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	2.5 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	50
Серия	IRFBE
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	82 ns
Типичное время задержки при включении	12 ns
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220AB-3
Ширина	4.7 mm
Крутизна характеристики S,А/В	2.5
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	3000
Температура, С	-55…+150
Brand	Vishay Semiconductors
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	50
Fall Time	30 ns
Height	9.01 mm
Id - Continuous Drain Current	4.1 A
Length	10.41 mm
Manufacturer	Vishay
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	125 W
Product Category	MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance	3 Ohms
Rise Time	33 ns
RoHS	Details
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	82 ns
Typical Turn-On Delay Time	12 ns
Unit Weight	0.211644 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	800 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Width	4.7 mm
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	4.1 A
Maximum Drain Source Resistance	3 Ω
Maximum Drain Source Voltage	800 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Power Dissipation	125 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220AB
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	78 nC @ 10 V
Automotive	No
ECCN (US)	EAR99
Lead Shape	Through Hole
Maximum Continuous Drain Current (A)	4.1
Maximum Diode Forward Voltage (V)	1.8
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	3000@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	800
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)	100
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V)	4
Maximum IDSS (uA)	100
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Positive Gate Source Voltage (V)	20
Maximum Power Dissipation (mW)	125000
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)	16
Minimum Gate Threshold Voltage (V)	2
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Through Hole
Operating Junction Temperature (°C)	-55 to 150
Part Status	Active
PCB changed	3
PPAP	No
Standard Package Name	TO-220
Supplier Package	TO-220AB
Tab	Tab
Typical Fall Time (ns)	30
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	78(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	78(Max)@10V
Typical Gate Plateau Voltage (V)	6
Typical Gate to Drain Charge (nC)	45(Max)
Typical Gate to Source Charge (nC)	9.6(Max)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	1300@25V
Typical Output Capacitance (pF)	310
Typical Reverse Recovery Charge (nC)	1800
Typical Reverse Recovery Time (ns)	480
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)	190@25V
Typical Rise Time (ns)	33
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	82
Typical Turn-On Delay Time (ns)	12
Вес, кг	21.3