SQP100P06-9M3L_GE3
1 460 руб.
от 2 шт. —
1 330 руб.
от 5 шт. —
1 230 руб.
от 7 шт. —
1 180 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 460 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, P-CH, 60V, 100A, 175DEG C, 187W; Available until stocks are exhausted
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 100A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12010pF @ 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 187W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.3mOhm @ 30A, 10V |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFETВ® |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250ВµA |
| Вес, г | 1 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
