IXTH16N10D2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 16А, 830Вт, TO247-3, 940нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 610 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 610 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 16А, 830Вт, TO247-3, 940нс Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Drain current | 16A |
| Drain-source voltage | 100V |
| Kind of channel | depleted |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 64mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 830W |
| Reverse recovery time | 940ns |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 6.24 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 196 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
