Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ST Microelectronics › BD681, Trans Darlington NPN 100V 4A 40000mW ...

BD681, Trans Darlington NPN 100V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

17318 шт., срок 7-9 недель

46 руб.

Мин. кол-во для заказа 810 шт.

от 864 шт. — 45 руб.

от 2195 шт. — 43 руб.

Добавить в корзину 810 шт. на сумму 37 260 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8003292767

Артикул: BD681

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - Darlington

Описание Транзистор биполярный NPN Дарлингтон BD681 от STMicroelectronics - идеальный выбор для проектов, требующих управления высокими напряжениями. Модель обеспечивает ток коллектора до 4 А и может работать при напряжении коллектор-эмиттер до 100 В, что делает его подходящим для множества применений. Мощность устройства достигает 40 Вт, что гарантирует надежность в условиях высоких нагрузок. Монтаж типа THT позволяет легко интегрировать транзистор в печатные платы. Корпус SOT32 обеспечивает удобство использования и долговечность. Приобретая BD681, вы получаете надежный компонент от известного производителя электроники. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	биполярный
Вид	NPN, Дарлингтон
Монтаж	THT
Ток коллектора, А	4
Напряжение коллектор-эмиттер, В	100
Мощность, Вт	40
Корпус	SOT32

Технические параметры

кол-во в упаковке	50
Brand	STMicroelectronics
Collector- Base Voltage VCBO	100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	100 V
Configuration	Single
Continuous Collector Current	4 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	750
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Factory Pack Quantity	2000
Height	10.8 mm
Length	7.8 mm
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum Collector Cut-off Current	200 uA
Maximum DC Collector Current	4 A
Maximum Operating Temperature	+150 C
Mounting Style	Through Hole
Package / Case	SOT-32
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	40 W
Product Category	Darlington Transistors
RoHS	Details
Series	Darlingtons
Transistor Polarity	NPN
Width	2.7 mm
Brand:	STMicroelectronics
Collector- Base Voltage VCBO:	100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	100 V
Configuration:	Single
Continuous Collector Current:	4 A
DC Collector/Base Gain hfe Min:	750
Emitter- Base Voltage VEBO:	5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2000
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Collector Cut-off Current:	200 uA
Maximum DC Collector Current:	4 A
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Mounting Style:	Through Hole
Package / Case:	SOT-32
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	40 W
Product Category:	Darlington Transistors
Product Type:	Darlington Transistors
Series:	BD681
Subcategory:	Transistors
Transistor Polarity:	NPN
Maximum Collector Base Voltage	100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	2.5 V
Maximum Collector Emitter Voltage	100 V
Maximum Continuous Collector Current	4 A
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Minimum DC Current Gain	750
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-32
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Вес, г	1