IPAN70R450P7SXKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
460 руб.
от 2 шт. —
350 руб.
от 5 шт. —
281 руб.
от 10 шт. —
255.78 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 460 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 700V, 10A, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:700V; On Resistance Rds(on):0.37ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Pd:22.7W; Transistor Case Style:TO-220FP; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:CoolMOS P7 Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 10 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 450@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 700 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | 16 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 22700 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -40~150 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Supplier Package | TO-220FP |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 13.1 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 13.1@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 424@400V |
| Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.45 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 700 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-220 FP |
| Series | 700V CoolMOS P7 |
| Вес, г | 1.5 |
Техническая документация
Datasheet IPAN70R450P7SXKSA1
pdf, 952 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
