NGTB15N60S1EG

440 руб.
от 2 шт.380 руб.
от 10 шт.329 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 440 руб.
Номенклатурный номер: 8003293791

Описание

Электроэлемент
IGBT, 600V, 15A, W/ DIODE, TO-220-3; DC Collector Current:30A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.5V; Power Dissipation Pd:117W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Type:IGBT

Технические параметры

Current - Collector (Ic) (Max) 30A
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
Gate Charge 88nC
IGBT Type NPT
Input Type Standard
Manufacturer ON Semiconductor
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C(TJ)
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Part Status Active
Power - Max 117W
Reverse Recovery Time (trr) 270ns
Series -
Supplier Device Package TO-220
Switching Energy 550ВµJ(on), 350ВµJ(off)
Td (on/off) @ 25В°C 65ns/170ns
Test Condition 400V, 15A, 22 Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Вес, г 2

Техническая документация

Datasheet NGTB15N60S1EG
pdf, 132 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов