NGTB15N60S1EG
440 руб.
от 2 шт. —
380 руб.
от 10 шт. —
329 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 440 руб.
Описание
Электроэлемент
IGBT, 600V, 15A, W/ DIODE, TO-220-3; DC Collector Current:30A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.5V; Power Dissipation Pd:117W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Type:IGBT
Технические параметры
Current - Collector (Ic) (Max) | 30A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
Gate Charge | 88nC |
IGBT Type | NPT |
Input Type | Standard |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Power - Max | 117W |
Reverse Recovery Time (trr) | 270ns |
Series | - |
Supplier Device Package | TO-220 |
Switching Energy | 550ВµJ(on), 350ВµJ(off) |
Td (on/off) @ 25В°C | 65ns/170ns |
Test Condition | 400V, 15A, 22 Ohm, 15V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 15A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet NGTB15N60S1EG
pdf, 132 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов