FDC6561AN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
180 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
130 руб.
от 10 шт. —
106 руб.
от 14 шт. —
97.65 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 360 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 30В, 2,5А, 0,96Вт, SuperSOT-6 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Continuous Drain Current | 2.5(A) |
| Drain-Source On-Volt | 30(V) |
| Gate-Source Voltage (Max) | '±20(V) |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements | 2 |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Package Type | TSOT-23 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Polarity | N |
| Power Dissipation | 0.96(W) |
| Rad Hardened | No |
| Type | Power MOSFET |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 2.5А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.8В |
| Рассеиваемая Мощность | 960мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.082Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SuperSOT |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 152 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 960 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Series | PowerTrench |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 2.3 nC @ 5 V |
| Width | 1.7mm |
| Case | SuperSOT-6 |
| Drain current | 2.5A |
| Drain-source voltage | 30V |
| Gate charge | 3.2nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | ONSEMI |
| On-state resistance | 152mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Technology | PowerTrench® |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Вес, г | 0.043 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 252 КБ
Datasheet
pdf, 114 КБ
Datasheet
pdf, 211 КБ
Документация
pdf, 191 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
