FF200R12KT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 820 руб.
от 2 шт. —
10 460 руб.
от 3 шт. —
10 290 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 10 820 руб.
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT
Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт
Технические параметры
| Корпус | 62 mm | |
| Channel Type | N | |
| Configuration | Series | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Continuous Collector Current | 320 A | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 1100 W | |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C | |
| Mounting Type | Panel Mount | |
| Package Type | 62MM Module | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Series | |
| Вес, г | 306.5 |
