IRFBG30PBF, Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
170 руб.
Мин. кол-во для заказа 220 шт.
от 1159 шт. —
156 руб.
Добавить в корзину 220 шт.
на сумму 37 400 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 1000В 3,1A 125Вт TO220AB
Технические параметры
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 3.1 A |
| Тип корпуса | TO-220AB |
| Максимальное рассеяние мощности | 125 W |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Ширина | 4.7мм |
| Высота | 9.01мм |
| Размеры | 10.41 x 4.7 x 9.01мм |
| Материал транзистора | SI |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 10.41мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 12 нс |
| Производитель | Vishay |
| Типичное время задержки выключения | 89 ns |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 5 Ω |
| Максимальное напряжение сток-исток | 1000 V |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 980 пФ при 25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.1 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 5 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 1000 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Width | 4.7mm |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 3.1A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 980pF @ 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 1.9A, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 5000 |
| Температура, С | -55…+150 |
| Вес, кг | 21.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRFBG30PBF
pdf, 1636 КБ
IRFBG30 Datasheet
pdf, 167 КБ
Документация
pdf, 1638 КБ
Datasheet IRFBG30
pdf, 606 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
