FDC6303N, Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
49 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 147 000 руб.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 25В, 0,68А, 0,9Вт, SuperSOT-6 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 25В |
| Непрерывный Ток Стока | 680мА |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 800мВ |
| Рассеиваемая Мощность | 900мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.45Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SuperSOT |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 8.5 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 0.145 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 680 mA |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package/Case: | SSOT-6 |
| Part # Aliases: | FDC6303N_NL |
| Pd - Power Dissipation: | 900 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Qg - Gate Charge: | 2.3 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 450 mOhms |
| Rise Time: | 8.5 ns |
| Series: | FDC6303N |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Type: | FET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 17 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 650 mV |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 680 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 450 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 25 V |
| Maximum Gate Source Voltage | +8 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 900 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.65V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 6 |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1.64 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.7mm |
| Вес, кг | 40.3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 195 КБ
Datasheet FDC6303N
pdf, 178 КБ
Datasheet FDC6303N
pdf, 78 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
