MUN5114T1G, Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 руб.
Мин. кол-во для заказа 9000 шт.
Кратность заказа 3000 шт.
от 12000 шт. —
5.10 руб.
Добавить в корзину 9000 шт.
на сумму 54 000 руб.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > Digital BJT
Технические параметры
Collector Emitter Voltage Max PNP | 50В |
Continuous Collector Current | 100мА |
DC Current Gain hFE Min | 80hFE |
Power Dissipation | 310мВт |
Количество Выводов | 3 Вывода |
Корпус РЧ Транзистора | SC-70 |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 50В |
Непрерывный Коллекторный Ток Ic | 100мА |
Полярность Транзистора | Single PNP |
Полярность Цифрового Транзистора | Одиночный PNP |
Резистор База-эмиттер R2 | 47кОм |
Резистор На входе Базы R1 | 10кОм |
Соотношение Сопротивления, R1 / R2 | 0.21соотношение |
Стиль Корпуса Транзистора | SC-70 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 178 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов