MJD243G, Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 375 шт.
Кратность заказа 75 шт.
от 525 шт. —
105 руб.
Добавить в корзину 375 шт.
на сумму 45 000 руб.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Биполярные транзисторы - BJT 4A 100V 12.5W NPN
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 12.5 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 2.38 mm |
Длина | 6.73 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.6 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Непрерывный коллекторный ток | 4 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 40 MHz |
Размер фабричной упаковки | 75 |
Серия | MJD243 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Ширина | 6.22 mm |
Brand | ON Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO | 100 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 100 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.6 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 4 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 40 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 7 V |
Factory Pack Quantity | 75 |
Gain Bandwidth Product fT | 40 MHz |
Height | 2.38 mm |
Length | 6.73 mm |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Maximum DC Collector Current | 4 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -65 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | TO-252-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 12.5 W |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
RoHS | Details |
Series | MJD243 |
Transistor Polarity | NPN |
Unit Weight | 0.021341 oz |
Width | 6.22 mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 107 КБ
Datasheet MJD243G
pdf, 237 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов