Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor › FDC645N, Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin ...

FDC645N, Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

68 руб.

Кратность заказа 3000 шт.

Добавить в корзину 3000 шт. на сумму 204 000 руб.

Номенклатурный номер: 8003328728

Артикул: FDC645N

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

Решения для управления питанием в облаке
Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.

Технические параметры

Brand:	onsemi/Fairchild
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	3000
Fall Time:	9 ns
Forward Transconductance - Min:	33 S
Id - Continuous Drain Current:	5.5 A
Manufacturer:	onsemi
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	SSOT-6
Part # Aliases:	FDC645N_NL
Pd - Power Dissipation:	1.6 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Product:	MOSFET Small Signal
Qg - Gate Charge:	21 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	30 mOhms
Rise Time:	9 ns
Series:	FDC645N
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	PowerTrench
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Type:	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time:	35 ns
Typical Turn-On Delay Time:	8 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	30 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-12 V, +12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	800 mV
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Forward Diode Voltage	1.2V
Maximum Continuous Drain Current	5.5 A
Maximum Drain Source Resistance	48 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Maximum Gate Source Voltage	-12 V, +12 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	1.6 W
Minimum Gate Threshold Voltage	0.8V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SSOT-6
Pin Count	6
Series	PowerTrench
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	13 nC @ 4.5 V
Width	1.7mm
Вес, г	1