BC817K25E6327HTSA1, Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 500mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

10 руб.

Мин. кол-во для заказа 6000 шт.

Кратность заказа 3000 шт.

от 18000 шт. — 8.80 руб.

Добавить в корзину 6000 шт. на сумму 60 000 руб.

Номенклатурный номер: 8003343596

Артикул: BC817K25E6327HTSA1

Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose

Brand:	Infineon Technologies
Collector- Base Voltage VCBO:	50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	700 mV
Configuration:	Single
Continuous Collector Current:	500 mA
DC Collector/Base Gain hFE Min:	160 at 100 mA, 1 V
DC Current Gain hFE Max:	400 at 100 mA, 1 V
Emitter- Base Voltage VEBO:	5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	42000
Gain Bandwidth Product fT:	170 MHz
Manufacturer:	Infineon
Maximum DC Collector Current:	500 mA
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-65 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Package/Case:	SOT-23-3
Part # Aliases:	BC 817K-25 E6327 SP000271875
Pd - Power Dissipation:	500 mW
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Series:	BC817
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	NPN
Вес, г	1

pdf, 856 КБ

Мы рекомендуем