FF450R12KT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 450А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
19 350 руб.
от 2 шт. —
18 810 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 19 350 руб.
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT
Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 450А
Технические параметры
| Корпус | AG-62MMHB | |
| Automotive | Unknown | |
| Channel Type | N | |
| Configuration | Dual | |
| ECCN (US) | EAR99 | |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 1200 | |
| Maximum Continuous Collector Current (A) | 580 | |
| Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.4 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 | |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 | |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2400 | |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 | |
| Mounting | Screw | |
| Packaging | Tray | |
| Part Status | Active | |
| PCB changed | 7 | |
| Pin Count | 7 | |
| PPAP | Unknown | |
| Supplier Package | 62MM-1 | |
| Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 1.75 | |
| Вес, г | 365 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 625 КБ
