2SC5706-TL-H
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
420 руб.
от 2 шт. —
320 руб.
от 5 шт. —
256 руб.
от 10 шт. —
231.84 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 420 руб.
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR, NPN, 50V, 5A, TO-252; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency ft:400MHz; Power Dissipation Pd:15W; DC Collector Current:5A; DC Current Gain hFE:200hFE; Transistor
Технические параметры
Brand | ON Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO | 100 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 160 mV |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 5 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 200 |
DC Current Gain hFE Max | 560 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
Factory Pack Quantity | 700 |
Gain Bandwidth Product fT | 400 MHz |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Maximum DC Collector Current | 7.5 A |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | TO-252-3 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 15 W |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
RoHS | Details |
Series | 2SC5706 |
Transistor Polarity | NPN |
Unit Weight | 0.063493 oz |
Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
Maximum Operating Frequency | 1 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 15 W |
Minimum DC Current Gain | 200 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TP-FA |
Pin Count | 4 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 0.3455 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet 2SA2039, 2SC5706
pdf, 418 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов