STB11NK50ZT4, Транзистор N-МОП, полевой, 500В 10A 125Вт 0,52Ом D

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

412 шт., срок 7 недель

500 руб.

от 5 шт. — 390 руб.

от 25 шт. — 301 руб.

от 100 шт. — 246.76 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 500 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8003715249

Артикул: STB11NK50ZT4

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 500В 10A 125Вт 0,52Ом D Характеристики

Id - непрерывный ток утечки	10 A
Pd - рассеивание мощности	125 W
Qg - заряд затвора	49 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	480 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	500 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	18 ns
Время спада	15 ns
Высота	4.6 mm
Длина	10.4 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	77 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STB11NK50Z
Технология	Si
Тип	MOSFET
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	41 ns
Типичное время задержки при включении	14.5 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка / блок	TO-263-3
Ширина	9.35 mm
Вес, г	1.57

pdf, 393 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем