STB11NK50ZT4, Транзистор N-МОП, полевой, 500В 10A 125Вт 0,52Ом D
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
930 шт. со склада г.Москва, срок 4-5 недель
470 руб.
от 5 шт. —
370 руб.
от 25 шт. —
305 руб.
от 100 шт. —
252.23 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 470 руб.
Посмотреть альтернативные предложения3
Описание
МОП-транзистор N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Pd - рассеивание мощности | 125 W |
| Qg - заряд затвора | 49 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 480 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 18 ns |
| Время спада | 15 ns |
| Высота | 4.6 mm |
| Длина | 10.4 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 77 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | STB11NK50Z |
| Технология | Si |
| Тип | MOSFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 41 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14.5 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Ширина | 9.35 mm |
| Base Product Number | STB11 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1390pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Other Related Documents | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520mOhm @ 4.5A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | SuperMESHв„ў -> |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100ВµA |
| Вес, г | 1.73 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 408 КБ
Datasheet STB11NK50ZT4
pdf, 393 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
