SI3407DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -8А, 2,7Вт, TSOP6

Фото 1/3 SI3407DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -8А, 2,7Вт, TSOP6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
280 руб.
от 5 шт.110 руб.
от 25 шт.82 руб.
от 100 шт.63.84 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 280 руб.
Посмотреть аналоги1
Номенклатурный номер: 8003722700
Артикул: SI3407DV-T1-GE3

Описание

Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -8А, 2,7Вт, TSOP6 Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Brand: Vishay Semiconductors
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Fall Time: 39 ns
Id - Continuous Drain Current: 8 A
Manufacturer: Vishay
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package/Case: TSOP-6
Part # Aliases: SI3407DV-T1-BE3 SI3407DV-GE3
Pd - Power Dissipation: 4.2 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 21 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 32.7 mOhms
Rise Time: 62 ns
Series: SI3
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: TrenchFET
Transistor Polarity: P-Channel
Transistor Type: 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 65 ns
Typical Turn-On Delay Time: 32 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -12 V, +12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.5 V
Channel Type P Channel
Drain Source On State Resistance 0.02Ом
Power Dissipation 2Вт
Количество Выводов 6вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 4.5В
Напряжение Истока-стока Vds 20В
Непрерывный Ток Стока
Полярность Транзистора P Channel
Пороговое Напряжение Vgs 1.5В
Рассеиваемая Мощность 2Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.02Ом
Стиль Корпуса Транзистора TSOP
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Unlimited
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet
pdf, 233 КБ
Datasheet SI3407DV-T1-GE3
pdf, 202 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов