SI3407DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -8А, 2,7Вт, TSOP6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
280 руб.
от 5 шт. —
110 руб.
от 25 шт. —
82 руб.
от 100 шт. —
63.84 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 280 руб.
Посмотреть аналоги1
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -8А, 2,7Вт, TSOP6 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand: | Vishay Semiconductors |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 39 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
Manufacturer: | Vishay |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | TSOP-6 |
Part # Aliases: | SI3407DV-T1-BE3 SI3407DV-GE3 |
Pd - Power Dissipation: | 4.2 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 21 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 32.7 mOhms |
Rise Time: | 62 ns |
Series: | SI3 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | TrenchFET |
Transistor Polarity: | P-Channel |
Transistor Type: | 1 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 65 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 32 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
Channel Type | P Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.02Ом |
Power Dissipation | 2Вт |
Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
Непрерывный Ток Стока | 8А |
Полярность Транзистора | P Channel |
Пороговое Напряжение Vgs | 1.5В |
Рассеиваемая Мощность | 2Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.02Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TSOP |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Unlimited |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 233 КБ
Datasheet SI3407DV-T1-GE3
pdf, 202 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары