IRFD9220
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
450 руб.
от 2 шт. —
340 руб.
от 5 шт. —
269 руб.
от 10 шт. —
243.18 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 450 руб.
Описание
Категория продукта
Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -200В, -0,36А, 1Вт, DIP4 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 560 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.5 Ohms |
| RoHS | Подробности |
| Vds - напряжение пробоя затвор-исток | 20 V |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | -200 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 27 ns |
| Время спада | 27 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Конфигурация | Single Dual Drain |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Производитель | Vishay |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Типичное время задержки выключения | 7.3 ns |
| Торговая марка | Vishay/Siliconix |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | HexDIP-4 |
| Qg - заряд затвора | 15 nC |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Серия | IRFD |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Configuration | Single Dual Drain |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | Through Hole |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.56 |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 1500 10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 200 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 4 |
| Pin Count | 4 |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | DIP |
| Supplier Package | HVMDIP |
| Typical Fall Time (ns) | 19 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 15(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 15(Max)10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 340 25V |
| Typical Rise Time (ns) | 27 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 7.3 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8.8 |
| Power Dissipation | 1.3Вт |
| Вес, г | 0.7 |
Техническая документация
Datasheet IRFD9220PBF
pdf, 826 КБ
Datasheet IRFD9220PBF
pdf, 1678 КБ
Datasheet IRFD9220PBF
pdf, 833 КБ
Документация
pdf, 1677 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
