SIR680ADP-T1-RE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
780 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 780 руб.
Описание
Электроэлемент
Mosfet, N-Ch, 80V, 125A, 150Deg C, 104W Rohs Compliant: Yes |Vishay SIR680ADP-T1-RE3
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.00235Ом |
| Power Dissipation | 104Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
| Непрерывный Ток Стока | 125А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 104Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.00235Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 9 ns, 12 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 68 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 125 A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | PowerPAK-SO-8 |
| Pd - Power Dissipation: | 104 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 43 nC, 55 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.88 mOhms |
| Rise Time: | 8 ns, 15 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | TrenchFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns, 30 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 17 ns, 19 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
