PDTC114YU
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
93 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
39 руб.
от 10 шт. —
22 руб.
от 100 шт. —
7.03 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 186 руб.
Альтернативные предложения6
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR, DIGITAL, SOT-323; Digital Transistor Polarity:Single NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:10kohm; Base-Emitter Resistor R2:47kohm; Resisto
Технические параметры
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 5V |
| Family | Transistors-Bipolar(BJT)-Single, Pre-Biased |
| Frequency - Transition | 230MHz |
| Manufacturer | NXP Semiconductors |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Packaging | Digi-Reel® |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200mW |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10k |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47k |
| Standard Package | 1 |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Transistor Type | NPN-Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 2.2 mm |
| Другие названия товара № | PDTC114YU T/R |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Типичное входное сопротивление | 10 kOhms |
| Типичный коэффициент деления резистора | 0.213 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Ширина | 1.35 mm |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
| Maximum DC Collector Current | 100mA |
| Pd - Power Dissipation | 200mW |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | 10 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | UMT |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Input Resistor | 10 kΩ |
| Typical Resistor Ratio | 0.21, 1 |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
