Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STP7NK40Z

STP7NK40Z

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

29 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней

160 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 98 руб.

от 10 шт. — 87 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 320 руб.

Альтернативные предложения5

Номенклатурный номер: 8003822739

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Электроэлемент

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 400В, 3,4А, 70Вт, TO220-3 Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Brand	STMicroelectronics
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	1000
Fall Time	12 ns
Forward Transconductance - Min	3.5 S
Height	9.15 mm
Id - Continuous Drain Current	5.4 A
Length	10.4 mm
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	70 W
Product Category	MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance	1 Ohms
Rise Time	15 ns
RoHS	Details
Series	N-channel MDmesh
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	30 ns
Typical Turn-On Delay Time	15 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	400 V
Vgs - Gate-Source Voltage	30 V
Width	4.6 mm
Id - непрерывный ток утечки	5.4 A
Pd - рассеивание мощности	70 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	400 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	15 ns
Время спада	12 ns
Высота	9.15 mm
Длина	10.4 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	SuperMESH
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	3.5 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STP7NK40Z
Технология	Si
Тип	MOSFET
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	30 ns
Типичное время задержки при включении	15 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.6 mm
Base Product Number	STP7NK40 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	5.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	400V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	535pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Other Related Documents	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
Package	Tube
Power Dissipation (Max)	70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1Ohm @ 2.7A, 10V
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	TO-220AB
Vgs (Max)	В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 50ВµA
Automotive	No
Channel Type	N
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant with Exemption
Lead Shape	Through Hole
Maximum Continuous Drain Current (A)	5.4
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	1000 10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	400
Maximum Gate Source Voltage (V)	±30
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	70000
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Part Status	Active
PCB changed	3
Pin Count	3
PPAP	No
Process Technology	SuperMESH
Standard Package Name	TO-220
Supplier Package	TO-220AB
Tab	Tab
Typical Fall Time (ns)	12
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	19
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	19 10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	535 25V
Typical Rise Time (ns)	15
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	30
Typical Turn-On Delay Time (ns)	15
Вес, г	3.5