DTC114EUAT106
801 шт. со склада г.Москва, срок 7-10 дней
95 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
42 руб.
от 10 шт. —
25 руб.
от 100 шт. —
9.70 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 190 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR, DIGITAL; Digital Transistor Polarity:Single NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:10kohm; Base-Emitter Resistor R2:10kohm; Resistor Ratio,
Технические параметры
Base Part Number | DTC114 |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Frequency - Transition | 250MHz |
Manufacturer | Rohm Semiconductor |
Mounting Type | Surface Mount |
Package / Case | SC-70, SOT-323 |
Packaging | Tape & Reel(TR) |
Part Status | Not For New Designs |
Power - Max | 200mW |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
Series | - |
Supplier Device Package | UMT3 |
Transistor Type | NPN-Pre-Biased |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500ВµA, 10mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Collector Current (Ic) | 100mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@500uA, 10mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 30@5mA, 5V |
Power Dissipation (Pd) | 200mW |
Transition Frequency (fT) | 250MHz |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet DTC114EUAT106
pdf, 61 КБ
Документация
pdf, 4052 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.