BC817K-40HVL

Фото 1/3 BC817K-40HVL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.50 руб.
от 10 шт.34 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 220 руб.
Альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8003910955
Бренд: NXP Semiconductor

Описание

Электроэлемент
Dissipation Pd:425Mw; Dc Collector Current:500Ma; Dc Current Gain Hfe:250Hfe; Transistor Rohs Compliant: Yes |Nexperia BC817K-40HVL

Технические параметры

Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA(ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition 100MHz
Manufacturer Nexperia USA Inc.
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C(TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging Cut Tape(CT)
Part Status Active
Power - Max 350mW
Series Automotive, AEC-Q101
Supplier Device Package TO-236AB
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Pd - рассеивание мощности 775 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Другие названия товара № 934660225235
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 250
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 600
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 500 mA
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 700 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 500 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 100 MHz
Размер фабричной упаковки 10000
Серия BC817
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Nexperia
Упаковка Reel, Cut Tape
Упаковка / блок SOT-23-3
Brand Nexperia
Collector- Base Voltage VCBO 50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 700 mV
Configuration Single
Continuous Collector Current 500 mA
DC Collector/Base Gain Hfe Min 250
DC Current Gain HFE Max 600
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Factory Pack Quantity 10000
Gain Bandwidth Product FT 100 MHz
Maximum DC Collector Current 500 mA
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Pd - Power Dissipation 775 mW
Product Category Bipolar Transistors-BJT
Product Type BJTs-Bipolar Transistors
Qualification AEC-Q101
Subcategory Transistors
Transistor Polarity NPN
Collector Emitter Voltage Max 45В
DC Current Gain hFE Min 250hFE
DC Усиление Тока hFE 250hFE
Power Dissipation 425мВт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции BC817KH
Монтаж транзистора Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора TO-236AB
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft 100МГц
Вес, г 0.033

Техническая документация

Datasheet
pdf, 365 КБ
Datasheet
pdf, 404 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов