IXFH88N30P, Транзистор полевой N-канальный 300В 88A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 870 руб.
от 2 шт. —
2 700 руб.
от 3 шт. —
2 600 руб.
от 5 шт. —
2 460 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 870 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 300В 88A
Технические параметры
| Корпус | TO-247AD(IXFH) | |
| Id - непрерывный ток утечки | 88 A | |
| Pd - рассеивание мощности | 600 W | |
| Qg - заряд затвора | 180 nC | |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 40 mOhms | |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 300 V | |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V | |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V | |
| Вид монтажа | Through Hole | |
| Время нарастания | 24 ns | |
| Время спада | 25 ns | |
| Высота | 21.46 mm | |
| Длина | 16.26 mm | |
| Канальный режим | Enhancement | |
| Категория продукта | МОП-транзистор | |
| Количество каналов | 1 Channel | |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET | |
| Конфигурация | Single | |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 40 S | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Минимальная рабочая температура | 55 C | |
| Подкатегория | MOSFETs | |
| Полярность транзистора | N-Channel | |
| Размер фабричной упаковки | 30 | |
| Серия | IXFH88N30 | |
| Технология | Si | |
| Тип | Polar HiPerFET Power MOSFET | |
| Тип продукта | MOSFET | |
| Тип транзистора | 1 N-Channel | |
| Типичное время задержки выключения | 96 ns | |
| Типичное время задержки при включении | 25 ns | |
| Торговая марка | IXYS | |
| Упаковка | Tube | |
| Упаковка / блок | TO-247-3 | |
| Ширина | 5.3 mm | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 88 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 40 mΩ | |
| Maximum Drain Source Voltage | 300 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 600 W | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | TO-247 | |
| Pin Count | 3 | |
| Series | HiperFET, Polar | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 180 nC @ 10 V | |
| Width | 5.3mm | |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
