BCX53
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
74 руб.
от 10 шт. —
56 руб.
от 100 шт. —
37.75 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 260 руб.
Описание
Электроэлемент
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-ELEMENT, PNP, SILICON
Технические параметры
Brand | Diodes Incorporated |
Collector- Base Voltage VCBO | -100 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -80 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | -500 mV |
Configuration | Single |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 25 at 500 mA, 2 V |
DC Current Gain hFE Max | 25 at 5 mA at 2 V |
Emitter- Base Voltage VEBO | -5 V |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Gain Bandwidth Product fT | 150 MHz |
Height | 1.5 mm |
Length | 4.5 mm |
Manufacturer | Diodes Incorporated |
Maximum DC Collector Current | -2 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -65 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-89-3 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 1000 mW |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
RoHS | No |
Series | BCX53 |
Transistor Polarity | PNP |
Width | 2.5 mm |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов