AUIRFR2905Z
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
580 руб.
от 2 шт. —
470 руб.
от 5 шт. —
394 руб.
от 10 шт. —
364.14 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 580 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET,N CH,55V,42A,DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:59A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.0111ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power Dissipation Pd:110W; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:AEC-Q101; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Voltage Vgs Max:20V
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 42A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1380pF @ 25V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5 mOhm @ 36A, 10V |
| Series | HEXFETВ® |
| Standard Package | 3 |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Вес, г | 0.33 |
Техническая документация
AUIRFR2905Z datasheet
pdf, 301 КБ
Datasheet
pdf, 668 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
