NTE132, Транзистор: N-JFET, полевой, 25В, 20мА, 200мВт, TO106, Igt: 10мА
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
20 шт., срок 6 недель
1 180 руб.
от 3 шт. —
1 010 руб.
от 10 шт. —
781 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 180 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-JFET, полевой, 25В, 20мА, 200мВт, TO106, Igt: 10мА Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | JFET |
Технические параметры
| Case | TO106 |
| Drain current | 20mA |
| Drain-source voltage | 25V |
| Gate current | 10mA |
| Gate-source voltage | -25V |
| Kind of package | bulk |
| Manufacturer | NTE Electronics |
| Mounting | THT |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 0.2W |
| Type of transistor | N-JFET |
| Вес, г | 2.47 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 53 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
