STGW80V60DF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт. со склада г.Москва, срок 9-10 дней
2 500 руб.
от 2 шт. —
2 330 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 500 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
IGBT, SINGLE, 600V, 120A, TO-247-3; DC Collector Current:120A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.85V; Power Dissipation Pd:469W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:V Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Collector Current (DC) | 120(A) |
| Collector-Emitter Voltage | 600(V) |
| Configuration | Single |
| Gate to Emitter Voltage (Max) | '±20(V) |
| Mounting | Through Hole |
| Operating Temperature (Max) | 175C |
| Operating Temperature (Min) | -40C |
| Operating Temperature Classification | Automotive |
| Package Type | TO-247 |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3+Tab |
| Rad Hardened | No |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.85 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 120 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 80 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 250 nA |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 469 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | STGW80V60DF |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 120 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 469 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 4.43 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
