Транзистор STP9NK50ZFP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
200 шт. со склада г.Москва, срок 3 недели
36 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 36 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы\Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 7,2А, 30Вт, TO220FP Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
EU RoHS | Compliant with Exemption |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.29.00.95 |
Product Category | Power MOSFET |
Process Technology | SuperMESH |
Configuration | Single |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 500 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 7.2 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 850@10V |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 32@10V |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 32 |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 910@25V |
Maximum Power Dissipation (mW) | 30000 |
Typical Fall Time (ns) | 22 |
Typical Rise Time (ns) | 20 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 45 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 17 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Packaging | Tube |
Automotive | No |
Pin Count | 3 |
Supplier Package | TO-220FP |
Standard Package Name | TO-220 |
Military | No |
Mounting | Through Hole |
Package Height | 16.4(Max) |
Package Length | 10.4(Max) |
Package Width | 4.6(Max) |
PCB changed | 3 |
Tab | Tab |
Lead Shape | Through Hole |
Id - непрерывный ток утечки | 7.2 A |
Pd - рассеивание мощности | 30 W |
Qg - заряд затвора | 32 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 850 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 20 ns |
Время спада | 22 ns |
Высота | 9.3 mm |
Длина | 10.4 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | SuperMESH |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5.3 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | STP9NK50ZFP |
Средства разработки | STEVAL-ISC002V1 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel MOSFET |
Типичное время задержки выключения | 45 ns |
Типичное время задержки при включении | 17 ns |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.6 mm |
кол-во в упаковке | 50 |
Maximum Continuous Drain Current | 7.2 A |
Maximum Drain Source Resistance | 850 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 30 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-220FP |
Series | MDmesh, SuperMESH |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
Width | 4.6mm |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 370 КБ
Datasheet STP9NK50ZFP
pdf, 365 КБ
Datasheet STP9NK50ZFP
pdf, 367 КБ
Datasheet STP9NK50ZFP
pdf, 381 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.