FZT953TA, Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 5 А, 3 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
61 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
Добавить в корзину 8 шт.
на сумму 488 руб.
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 5 А, 3 Вт
Технические параметры
Корпус | SOT-223 | |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 100V | |
Maximum DC Collector Current | 5A | |
Pd - Power Dissipation | 3W | |
Transistor Type | PNP | |
Brand: | Diodes Incorporated | |
Collector- Base Voltage VCBO: | 140 V | |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 100 V | |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 420 mV | |
Configuration: | Single | |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 15 | |
DC Current Gain hFE Max: | 100 | |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 | |
Gain Bandwidth Product fT: | 125 MHz | |
Manufacturer: | Diodes Incorporated | |
Maximum DC Collector Current: | 5 A | |
Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Mounting Style: | SMD/SMT | |
Package / Case: | SOT-223-4 | |
Pd - Power Dissipation: | 3 W | |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT | |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors | |
Series: | FZT953 | |
Subcategory: | Transistors | |
Technology: | Si | |
Transistor Polarity: | PNP | |
Maximum Collector Base Voltage | 140 V | |
Maximum Collector Emitter Voltage | -100 V | |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V | |
Maximum Operating Frequency | 125 MHz | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 3 W | |
Minimum DC Current Gain | 100 | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | SOT-223(SC-73) | |
Pin Count | 3+Tab | |
Transistor Configuration | Single | |
Вес, г | 0.195 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов