FZT953TA, Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 5 А, 3 Вт

Фото 1/5 FZT953TA, Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 5 А, 3 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
61 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
Добавить в корзину 8 шт. на сумму 488 руб.
Номенклатурный номер: 8004267925
Артикул: FZT953TA
Бренд: DIODES INC.

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 5 А, 3 Вт

Технические параметры

Корпус SOT-223
Collector-Emitter Breakdown Voltage 100V
Maximum DC Collector Current 5A
Pd - Power Dissipation 3W
Transistor Type PNP
Brand: Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO: 140 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 100 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 420 mV
Configuration: Single
DC Collector/Base Gain hfe Min: 15
DC Current Gain hFE Max: 100
Emitter- Base Voltage VEBO: 7 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 1000
Gain Bandwidth Product fT: 125 MHz
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current: 5 A
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOT-223-4
Pd - Power Dissipation: 3 W
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: FZT953
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: PNP
Maximum Collector Base Voltage 140 V
Maximum Collector Emitter Voltage -100 V
Maximum Emitter Base Voltage 6 V
Maximum Operating Frequency 125 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 3 W
Minimum DC Current Gain 100
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-223(SC-73)
Pin Count 3+Tab
Transistor Configuration Single
Вес, г 0.195

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 535 КБ
Datasheet
pdf, 317 КБ
Datasheet FZT953
pdf, 309 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов