IRF7342TRPBF, Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
93 руб.
Кратность заказа 4000 шт.
от 8000 шт. —
83 руб.
Добавить в корзину 4000 шт.
на сумму 372 000 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор P-МОП x2, полевой, -55В, -3,4А, 2Вт, SO8
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 3.4A |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 2W |
Rds On - Drain-Source Resistance | 105mО© @ 3.4A,10V |
Transistor Polarity | 2 P Channel(Double) |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 55V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 1V @ 250uA |
Крутизна характеристики S,А/В | 3.3 |
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | -1 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 105 |
Температура, С | -55…+150 |
Вес, кг | 10.8 |
Техническая документация
Datasheet IRF7342TRPBF
pdf, 158 КБ
Datasheet IRF7342
pdf, 327 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов