2SK3065T100
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1351 шт. со склада г.Москва
28 руб.
Мин. кол-во для заказа 129 шт.
от 293 шт. —
24 руб.
от 1000 шт. —
20.47 руб.
Добавить в корзину 129 шт.
на сумму 3 612 руб.
Альтернативные предложения5
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
Описание Транзистор: NPN
Технические параметры
| Корпус | sot89 | |
| кол-во в упаковке | 1000 | |
| Id - непрерывный ток утечки | 2 A | |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W | |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 350 mOhms | |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V | |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V | |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV | |
| Вид монтажа | SMD/SMT | |
| Время нарастания | 50 ns | |
| Время спада | 70 ns | |
| Высота | 1.5 mm | |
| Длина | 4.5 mm | |
| Канальный режим | Enhancement | |
| Категория продукта | МОП-транзистор | |
| Количество каналов | 1 Channel | |
| Конфигурация | Single | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Минимальная рабочая температура | 55 C | |
| Подкатегория | MOSFETs | |
| Полярность транзистора | N-Channel | |
| Размер фабричной упаковки | 1000 | |
| Технология | Si | |
| Тип | MOSFET | |
| Тип продукта | MOSFET | |
| Тип транзистора | 1 N-Channel | |
| Типичное время задержки выключения | 120 ns | |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns | |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor | |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 | |
| Ширина | 2.5 mm | |
| Brand | ROHM Semiconductor | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Configuration | Single | |
| Factory Pack Quantity | 1000 | |
| Fall Time | 70 ns | |
| Height | 1.5 mm | |
| Id - Continuous Drain Current | 2 A | |
| Length | 4.5 mm | |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor | |
| Maximum Operating Temperature | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | |
| Mounting Style | SMD/SMT | |
| Number of Channels | 1 Channel | |
| Package / Case | SOT-89-3 | |
| Packaging | Reel | |
| Pd - Power Dissipation | 2 W | |
| Product Category | MOSFET | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 350 mOhms | |
| Rise Time | 50 ns | |
| RoHS | Details | |
| Technology | Si | |
| Transistor Polarity | N-Channel | |
| Transistor Type | 1 N-Channel | |
| Type | MOSFET | |
| Typical Turn-Off Delay Time | 120 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time | 20 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V | |
| Width | 2.5 mm | |
| Вес, г | 0.139 |
Техническая документация
Datasheet 2SK3065T100
pdf, 87 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
