STF26NM60N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
18 шт. со склада г.Москва, срок 10-11 дней
670 руб.
от 2 шт. —
550 руб.
от 5 шт. —
476 руб.
от 10 шт. —
440 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 670 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ ||, полевой, 600В, 12,6А, 35Вт Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand | STMicroelectronics |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Fall Time | 50 ns |
Id - Continuous Drain Current | 20 A |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 35 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 60 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 165 mOhms |
Rise Time | 25 ns |
RoHS | Details |
Series | N-channel MDmesh |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 85 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 13 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
Pd - рассеивание мощности | 35 W |
Qg - заряд затвора | 60 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 165 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 25 ns |
Время спада | 50 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | MDmesh |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | STF26NM60N |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 85 ns |
Типичное время задержки при включении | 13 ns |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
Maximum Drain Source Resistance | 165 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Maximum Power Dissipation | 35 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220FP |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
Width | 4.6mm |
Drain Source On State Resistance | 0.135Ом |
Power Dissipation | 30Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | PW Series |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
Непрерывный Ток Стока | 20А |
Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
Рассеиваемая Мощность | 30Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.135Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
Вес, г | 1.95 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet STF26NM60N
pdf, 1138 КБ
Datasheet STF26NM60N
pdf, 786 КБ
Datasheet STF26NM60N
pdf, 653 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.