PBSS4160T
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
100 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
50 руб.
от 10 шт. —
40 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 200 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:220MHz; Power Dissipation Pd:270mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:400hFE; Transistor Case S
Технические параметры
| Transistor Polarity | NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo |
| Pd - рассеивание мощности | 270 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 3 mm |
| Другие названия товара № | PBSS4160T T/R |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 250 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 at 1 mA at 5 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 220 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Ширина | 1.4 mm |
| Base Product Number | PBSS4160 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 220MHz |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Power - Max | 400mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 100mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
| Maximum DC Collector Current | 900 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 220 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
| Minimum DC Current Gain | 250 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23(TO-236AB) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 0.181 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet PBSS4160T,215
pdf, 111 КБ
Datasheet PBSS4160T,215
pdf, 567 КБ
Документация
pdf, 567 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
