FGH40N60SMDF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 349 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
900 руб.
от 4 шт. —
800 руб.
от 7 шт. —
751 руб.
от 13 шт. —
708 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 900 руб.
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 349 Вт
Технические параметры
Корпус | TO-247-3 | |
Channel Type | N | |
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V | |
Maximum Continuous Collector Current | 80 A | |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
Maximum Power Dissipation | 349 W | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Through Hole | |
Package Type | TO-247AB | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Base Part Number | FGH40N60 | |
Current - Collector (Ic) (Max) | 80A | |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 120A | |
Gate Charge | 119nC | |
IGBT Type | Field Stop | |
Input Type | Standard | |
Manufacturer | ON Semiconductor | |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) | |
Package / Case | TO-247-3 | |
Packaging | Tube | |
Part Status | Active | |
Power - Max | 349W | |
Reverse Recovery Time (trr) | 90ns | |
Series | - | |
Supplier Device Package | TO-247-3 | |
Switching Energy | 1.3mJ(on), 260ВµJ(off) | |
Td (on/off) @ 25В°C | 12ns/92ns | |
Test Condition | 400V, 40A, 6Ohm, 15V | |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 40A | |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V | |
Brand: | onsemi/Fairchild | |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V | |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.9 V | |
Configuration: | Single | |
Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 | |
Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA | |
Manufacturer: | onsemi | |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V | |
Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Mounting Style: | Through Hole | |
Package / Case: | TO-247 | |
Packaging: | Tube | |
Pd - Power Dissipation: | 349 W | |
Product Category: | IGBT Transistors | |
Product Type: | IGBT Transistors | |
Series: | FGH40N60SMDF | |
Subcategory: | IGBTs | |
Technology: | Si | |
Вес, г | 5.42 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 402 КБ
Datasheet FGH40N60SMDF
pdf, 334 КБ
Документация
pdf, 455 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов