FQP50N06L, Транзистор полевой N-канальный 60В 52.4A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

360 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 8 шт. — 310 руб.

от 16 шт. — 285 руб.

от 31 шт. — 273 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 720 руб.

Номенклатурный номер: 8004507523

Артикул: FQP50N06L

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 60В 52.4A

Корпус	to-220
Brand	ON Semiconductor/Fairchild
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	50
Fall Time	145 ns
Forward Transconductance - Min	40 S
Height	16.3 mm
Id - Continuous Drain Current	52 A
Length	10.67 mm
Manufacturer	ON Semiconductor
Maximum Operating Temperature	+175 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	121 W
Product Category	MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance	21 mOhms
Rise Time	380 ns
RoHS	Details
Series	FQP50N06L
Technology	Si
Tradename	QFET
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	80 ns
Typical Turn-On Delay Time	20 ns
Unit Weight	0.063493 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Width	4.7 mm
Вес, г	2.785

pdf, 797 КБ

Мы рекомендуем