NDC7002N, Транзистор МОП n-канальный двойной 50В 0,51A 0,96 SOT6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
94 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 25 шт. —
65 руб.
от 100 шт. —
51 руб.
от 500 шт. —
41.85 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 470 руб.
Описание
Описание Транзистор МОП n-канальный двойной 50В 0,51A 0,96 SOT6 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand: | onsemi/Fairchild |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Dual |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 6 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 510 mA |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 2 Channel |
Package/Case: | SSOT-6 |
Part # Aliases: | NDC7002N_NL |
Pd - Power Dissipation: | 960 mW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Product: | MOSFET Small Signal |
Qg - Gate Charge: | 1 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 2 Ohms |
Rise Time: | 6 ns |
Series: | NDC7002N |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 2 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 11 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 50 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 510 mA |
Maximum Drain Source Resistance | 4 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 50 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 960 mW |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 6 |
Transistor Configuration | Isolated |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 1 nC @ 10 V |
Width | 1.7mm |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов