NTE2919, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -60В, -20А, Idm: -80А, 25Вт, TO220F
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
13 шт., срок 6 недель
1 940 руб.
от 3 шт. —
1 540 руб.
от 10 шт. —
1 290 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 940 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\P channel transistors
Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -60В, -20А, Idm: -80А, 25Вт, TO220F Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO220F |
| Drain current | -20A |
| Drain-source voltage | -60V |
| Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Manufacturer | NTE Electronics |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 92mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 25W |
| Pulsed drain current | -80A |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Вес, г | 4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 65 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![FCA47N60, Транзистор, N-канал 600В 47А [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
![IPW60R099C6FKSA1 (6R099C6), Транзистор MOSFET N-канал 600В 37.9А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
![AFT09MS015NT1, Транзистор LDMOS, High Ruggedness N-канал, 136-941 МГц, 16 Вт, 12.5 В [PLD-1.5W]](https://static.chipdip.ru/lib/801/DOC004801069.jpg)
![IRFP4668PBF, Транзистор, N-канал 200В 130А [TO-247AC]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307909.jpg)
